삼성 갤럭시 S25 플러스 긱벤치 등장, 스냅드래곤 탑재 확인

 

삼성 갤럭시 S25 플러스는 스냅드래곤 8 엘리트로 엄청난 성능 향상을 가져올 수 있습니다. 최신 벤치마크 목록에 따르면 플러스 변형은 동일한 구성으로 주장된 갤럭시 S25 울트라보다 성능이 뛰어났습니다.

갤럭시 S25 플러스 미국 변형은 스냅드래곤 8 엘리트(8 4세대) 칩으로 벤치마크되었습니다. 이 휴대폰은 싱글 코어 점수 3,054점, 멀티 코어 점수 9,224점을 기록했습니다. 갤럭시 S25 울트라 미국 모델은 싱글 코어 점수 3,069점, 멀티 코어 점수 9,080점을 기록했습니다.

이 휴대폰은 아직 개발 중이므로 플러스 모델에서 이처럼 엄청난 리드를 확보하면 갤럭시 S25 울트라 성능이 더욱 발전할 것으로 기대됩니다. 글로벌 변형은 미국 변형보다 훨씬 강력한 칩셋을 탑재할 것으로 예상됩니다.

S25 플러스와 울트라의 미국 버전 칩은 4.19GHz로 클록되었습니다. 최근 유출된 정보에 따르면 갤럭시 S25 울트라 글로벌 모델은 더 빠른 4.47GHz로 클록된 오버클럭된 SoC를 사용한다고 합니다. 하지만 1월 출시에 가까워지면서 이는 바뀔 수 있습니다.

퀄컴은 "for Galaxy" 브랜딩으로 삼성에 맞춤형 Snapdragon 변형을 공급했습니다. 내년 S25 시리즈에서도 같은 계획이 계속될 수 있습니다. Galaxy용 Snapdragon 8 Elite는 표준 버전보다 성능이 향상될 수 있습니다.

삼성은 올해 1월에 갤럭시 S24 시리즈를 출시했습니다. 우리는 내년 플래그십도 1월에 같은 방식으로 공개될 것으로 예상합니다. 이 라인업에는 갤럭시 S25, 갤럭시 S25 플러스, 갤럭시 S25 울트라의 세 가지 모델이 포함될 것입니다.

S25 울트라와 비교했을 때, S25 플러스는 디스플레이가 약간 더 작을 것입니다. 픽셀 밀도도 울트라 모델과 다를 것입니다. 이러한 요소들은 CPU 성능 면에서 S25 플러스가 약간 우위를 점할 수 있습니다.