ASML, 최초의 High NA EUV 장비 올해 공급

 

- ASML은 업계 최초로 분해능 0.55 NA(numerical aperture)를 가진 EUV(extreme ultraviolet) 리소그래피 스캐너를 차질 없이 올해 공급할 예정이라고 이번 주 CEO가 발표. ASML의 Twinscan EXE:5000는 (실생산이 아닌) 연구개발과 고객들이 장비의 신기술 및 기능에 익숙해질 목적으로 주로 사용될 것. High-NA 장비의 실생산 사용은 2025년 이후로 계획

- Twinscan EXE:5000는 비공개 고객사에 전달될 예정인데, 해당 고객사는 이전에 18A 공정에 High-NA 스캐너를 사용하겠다고 밝혔던 인텔로 추정. 그러나 2025년 이후에나 실생산용으로 쓸 수 있으므로, 인텔은 어플라이드 매터리얼사의 Centura Sculpta 시스템을 이용한 EUV 더블 패터닝(double patterning)과 패턴 셰이핑(pattern shaping)을 쓰는 다른 솔루션을 채택할 수 밖에 없을 것

- 인텔은 18A 이후 공정에서나 ASML의 High-NA를 사용할 것으로 보이며, 경쟁사인 TSMC와 삼성도 뒤를 이어 사용하게 될 것. 하지만 이들 스캐너의 가격은 싸지 않은데, 1기 당 3억 달러 이상으로 추정. 이는 첨단 팹의 비용 증가를 더욱 부채질할 것

- ASML의 현 EUV 스캐너(0.33NA 및 13nm 해상도)는 단일 노출 패터닝으로 약 30nm 가량의 메탈 피치(metal pitch)를 가진 칩을 찍어낼 수 있는데, 이는 4나노 및 5나노급 공정에 충분한 수준. 더 미세 공정을 위해서는, 칩 제조사가 EUV 더블 패터닝 혹은 패턴 셰이핑을 사용해야 함. 앞으로 몇 년 간은 그렇겠지만, 그 이후에는 ASML의 차세대 High-NA EUV 스캐너(0.55 NA, 8nm 해상도)를 사용할 계획

- 0.55 NA EUV 장비는 현재 팹에서 사용 중인 DUV(deep ultraviolet) 및 EUV 장비를 대체하지 않을 것. 0.33 NA EUV 장비가 DUV 리소그래피 장비를 대체하지 않은 것과 마찬가지. ASML은 당분간 자사의 DUV 및 0.33 NA EUV 스캐너를 계속해서 발전시킬 것