반응형 부진한 SRAM 스케일링은 더 비싼 CPU와 GPU를 의미1 TSMC 3나노 공정, 부진한 SRAM 스케일링은 더 비싼 CPU와 GPU를 의미 - WikiChip의 보도에 따르면, TSMC의 SRAM 스케일링이 크게 둔화되었다고 함. TSMC의 3나노급 공정에서 로직 서킷의 스케일링은 잘 진행되었지만, SRAM 셀은 목표에 뒤처져 거의 변화가 없는 상태. 이는 미래 CPU, GPU, SoC에 큰 문제인데, 느려진 SRAM 셀 면적 축소로 인해 비용 상승 가능성이 크기 때문 - TSMC가 올해 초 N3 공정을 공식 소개했을 때, 새로운 공정은 N5(5나노급) 공정과 비교해 로직 밀도가 1.6~1.7배 향상된다고 발표. 하지만 TSMC가 밝히지 않은 사실은 신공정의 SRAM 셀이 N5와 비교해 거의 축소되지 않았다는 점으로, WikiChip은 이 정보를 TSMC가 IEDM(International Electron Devices Meeting)에서 .. 2022. 12. 24. 이전 1 다음 반응형
