Samsung 파운드리, 올해 하반기부터 3nm 공정 엑시노스 칩셋 양산 시작 예정

 

 

새로운 엑시노스 칩셋은 2024년 하반기에 양산에 들어갈 것으로 알려졌으며, 삼성은 곧 출시될 갤럭시 S25 시리즈에 자체 실리콘 채택을 공격적으로 늘릴 것으로 예상됩니다. 삼성은 모바일 칩셋에 자사의 Gate-All-Around(GAA) 기술을 적용할 것이라고 여러 차례 언급해 왔으며, M4가 이 노드를 최초로 활용하는 제품으로 이미 2세대 3nm 공정을 가동하고 있는 TSMC와의 경쟁에서 우위를 점할 수 있을 것으로 예상됩니다.

DigiTimes의 유료 보고서에 따르면 삼성은 '2024년 하반기'에 3nm 엑시노스 SoC의 대량 생산을 시작할 것이라고 언급했습니다. 그러나 '엑시노스'라는 이름 외에는 다른 중요한 정보는 언급되지 않았습니다. 다행히도 삼성이 2025년 초에 공개할 예정인 갤럭시 S25 시리즈에 엑시노스 2500과 스냅드래곤 8 4세대를 사용할 계획이라는 수많은 보도를 통해 들었습니다. 삼성은 내년에 퀄컴의 칩셋 비용을 줄이는 데 도움이 될 것이므로 갤럭시 S24 제품군에서와 마찬가지로 다시 한 번 듀얼 칩셋 출시 방식을 사용할 것이라고 합니다.

엑시노스 2500의 경우, 삼성은 이전에 곧 출시될 SoC에 2세대 3nm GAA 공정을 활용하여 에너지 누출을 줄이고 전력 효율을 개선한 것으로 보고된 바 있습니다. 엑시노스 2500의 성능에 대한 통찰력을 제공하는 수치나 수치 데이터는 없지만, 스냅드래곤 8 4세대보다 에너지 효율이 더 높다는 루머가 있습니다. 삼성이 내열성을 개선하고 성능을 높이기 위해 고급 '팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징'(FOWLP)을 사용할 가능성도 있지만 공식 발표를 통해 확인할 수 있을 것입니다.

삼성은 일반적으로 4분기에 플래그십 스마트폰 칩셋을 공개합니다. 엑시노스 2400은 2023년 10월에 처음 공개되었으며, 2024년 2월 갤럭시 S24 출시 시 추가 세부 정보가 공개되었습니다. 삼성전자가 엑시노스 2500에 대해서도 동일한 일정을 고수한다고 가정할 때 필요한 모든 세부 정보를 제공할 예정이니 계속 지켜봐 주시기 바랍니다.